APTB1612LSURKCGKC

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APTB1612LSURKCGKC
北京京北通宇电子元件有限公司
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联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
5000
今台/KINGBRIGH
NA
23+
-
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APTB1612LSURKCGKC
深圳市兴合盛科技发展有限公司
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联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
175000
Kingbright
LED原厂规格
23+
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功能描述
Green, Red 570nm Green, 630nm Red LED Indication - Discrete 1.9V Green, 1.8V Red 4-SMD, No Lead
制造商
kingbright
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
有效
颜色
绿，红
透镜颜色
无色
透镜透明度
透明
毫烛光等级
3mcd 绿，9mcd 红
透镜样式/尺寸
矩形，带平顶，1.20mm x 1.25mm
电压 - 正向（Vf）（典型值）
1.9V 绿，1.8V 红
电流 - 测试
2mA 绿，2mA 红
视角
120°
安装类型
表面贴装
波长 - 主
570nm 绿，630nm 红
波长 - 峰值
574nm 绿，645nm 红
特性
-
封装/外壳
4-SMD，无引线
供应商器件封装
4-SMD
大小/尺寸
1.60mm 长 x 1.25mm 宽
高度（最大值）
0.85mm
标准包装
2,000

APTB1612LSURKCGKC 技术参数

APTB1612LQBDCGKC 功能描述:Blue, Green 465nm Blue, 570nm Green LED Indication - Discrete 2.7V Blue, 1.9V Green 4-SMD, No Lead 制造商:kingbright 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效颜色:蓝，绿透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:12mcd 蓝，3mcd 绿透镜样式/尺寸:矩形，带平顶，1.20mm x 1.25mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.7V 蓝，1.9V 绿电流 - 测试:2mA 蓝，2mA 绿视角:120° 安装类型:表面贴装波长 - 主:465nm 蓝，570nm 绿波长 - 峰值:460nm 蓝，574nm 绿特性:- 封装/外壳:4-SMD，无引线供应商器件封装:4-SMD 大小/尺寸:1.60mm 长 x 1.25mm 宽高度（最大值）:0.85mm 标准包装:2,000 APTB1612ESGC-F01 功能描述:Green, Red 568nm Green, 617nm Red LED Indication - Discrete 2.2V Green, 2V Red 0605 (1613 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效颜色:绿，红透镜颜色:无色透镜透明度:透明毫烛光等级:12mcd 绿，7mcd 红透镜样式/尺寸:矩形，带平顶，1.20mm x 1.25mm 电压 - 正向（Vf）（典型值）:2.2V 绿，2V 红电流 - 测试:20mA 绿，20mA 红视角:120° 安装类型:表面贴装波长 - 主:568nm 绿，617nm 红波长 - 峰值:565nm 绿，627nm 红特性:- 封装/外壳:0605（1613 公制）供应商器件封装:片式 LED 大小/尺寸:1.60mm 长 x 1.25mm 宽高度（最大值）:0.65mm 标准包装:1 APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.4 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1000V（1kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:97A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 48.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G APTC60AM45B1G APTC60AM45BC1G APTC60AM45T1G