APTC60DSKM24T3_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTC60DSKM24T3

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说明
操作

APTC60DSKM24T3G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APTC60DSKM24T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTC60DSKM24T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTC60DSKM24T3G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
7
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTC60DSKM24T3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTC60DSKM24T3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
3100
isc,iscsemi
E73X42-32L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTC60DSKM24T3G
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

APTC60DSKM24T3G
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
7
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

APTC60DSKM24T3G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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1

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APTC60DSKM24T3 技术参数

APTC60DHM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:95A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 47.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60DDAM70T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60DDAM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双路降压斩波器） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 39A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:259nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60DDAM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双路降压斩波器） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC60DDAM35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:35 毫欧 @ 72A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG APTC80A15T1G

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