APTC80DDA15T3

配单专家企业名单

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说明
操作

APTC80DDA15T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

APTC80DDA15T3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTC80DDA15T3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
6000
isc,iscsemi
E73X40-32L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTC80DDA15T3G
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
MICROCHIP
NA
近两年
-
查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module

APTC80DDA15T3 技术参数

APTC80DA15T1G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC80AM75SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:56A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 28A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:364nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:9015pF @ 25V 功率 - 最大值:568W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTC80A15T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC80A15SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC80A10SCTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:273nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6761pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR