您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

APTC80H29T3G-MODULE

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G

APTC80H29T3G-MODULE PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTC80H29T3G-MODULE 技术参数

APTC80H29T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC80H29T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC80H29SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2254pF @ 25V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC80H15T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTC80H15T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4507pF @ 25V 功率 - 最大值:277W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G