APTC90HM60T3G

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APTC90HM60T3G
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP3
17+
-
全新原装现货

APTC90HM60T3G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk

APTC90HM60T3G 技术参数

APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTC90H12T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90H12SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:超级结漏源电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTC90DSK12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双路降压斩波器） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTC90DDA12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双路降压斩波器） FET 功能:超级结漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 26A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF