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APTGF150A120T3A

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  • APTGF150A120T3AG
    APTGF150A120T3AG

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGF150A120T3AG
    APTGF150A120T3AG

    APTGF150A120T3AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGF150A120T3A
    APTGF150A120T3A

    APTGF150A120T3A

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

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    资质:营业执照

  • 3000

  • isc,iscsemi

  • E73X40-32L

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

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  • 1
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APTGF150A120T3A 技术参数
  • APTGF100SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:双,共源 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF100DA120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 130A 735W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):130A 功率 - 最大值:735W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.5nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP1 供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGF100A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 568W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):135A 功率 - 最大值:568W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止(最大值):350μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):6.9nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGF15A120T1G APTGF15H120T1G APTGF15H120T3G APTGF15X120T3G APTGF165A60D1G APTGF165DA60D1G APTGF165SK60D1G APTGF180A60TG APTGF180DA60TG APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G
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