APTGTQ100DDA65T3

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTGTQ100DDA65T3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
8000
isc,iscsemi
E73X42-28L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

APTGTQ100DDA65T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
17+
-
瑞智芯只有原装

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100H65T3G APTGTQ100SK65T1G APTGTQ150TA65TPG APTGTQ200A65T3G APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200SK65T3G APTGTQ50TA65T3G APTGV100H60BTPG

APTGTQ100DDA65T3 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

APTGTQ100DDA65T3 技术参数

APTGTQ100DA65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:升压斩波器电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:- 配置:半桥电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP1 标准包装:1 APTGT75X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT75TL60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三级反相器电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT75TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 100A 250W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.62nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGV100H60T3G APTGV15H120T3G APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ