APTM20UM04SAG

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型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTM20UM04SAG-MODULE
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王女士
电话：13969210552
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
4500
MICROCHIP
NA
近两年
-
查货可到京北通宇商城www.jbchip...

APTM20UM04SAG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
全新原装现货

APTM20UM04SAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原装

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1

您是不是要找： APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
RoHS
是
类别
半导体模块 >> FET
系列
-
标准包装
10
系列
*

APTM20UM04SAG 技术参数

APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:580A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 290A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:840nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20TDUM16PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM20TAM16FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM20SKM10TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:175A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 87.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM20SKM08TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:208A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 104A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G