APTM20UM09S

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说明
操作

APTM20UM09SG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
模块
17+
-
全新原装现货

APTM20UM09S
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
S108X62-4L
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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1

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制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Single switch Series & parallel diodes MOSFET Power Module

APTM20UM09S 技术参数

APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:317A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 158.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:J3 模块供应商器件封装:模块标准包装:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:417A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 毫欧 @ 208.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:580A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 290A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:840nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTM20TDUM16PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM20TAM16FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:104A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:19 毫欧 @ 52A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G