APTMC120TAM12CTPAG

配单专家企业名单

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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APTMC120TAM12CTPAG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6-P
17+
-
全新原装现货

APTMC120TAM12CTPAG
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
200
MICROCHIP
NA
23+
-
分立半导体模块

APTMC120TAM12CTPAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
220A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
12 毫欧 @ 150A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 30mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
483nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
8400pF @ 1000V
功率 - 最大值
925W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6-P
标准包装
1

APTMC120TAM12CTPAG 技术参数

APTMC120HRM40CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:2 N 沟道（相脚 + 双共发射极）应用:* 电压 - 额定:1200V（1.2kV）额定电流:* 安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120HRM40CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120HR11CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:2 N 沟道（相脚 + 双共发射极）应用:通用电压 - 额定:1200V（1.2kV）额定电流:26A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120HR11CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:98 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:62nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:950pF @ 1000V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120HM17CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:4 个 N 通道 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:147A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 30mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:332nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5576pF @ 1000V 功率 - 最大值:750W 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML100U60R020T1AG APTML102UM09R004T3AG APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV