APTMC120TAM33CTPAG_代理商_批发/采购【买卖IC网】APTMC120TAM33CTPAG

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批号
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说明
操作

APTMC120TAM33CTPAG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

APTMC120TAM33CTPAG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
10
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTMC120TAM33CTPAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原装

APTMC120TAM33CTPAG
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
27
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTMC120TAM33CTPAG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Microsemi Corporation
SP6-P
17+
-
全新原装现货

APTMC120TAM33CTPAG
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
22
Microsemi Corporation
SP6
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
制造商
microsemi corporation
系列
-
包装
散装
零件状态
有效
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
78A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
33 毫欧 @ 60A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 3mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
148nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2850pF @ 1000V
功率 - 最大值
370W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6-P
标准包装
1

APTMC120TAM33CTPAG 技术参数

APTMC120TAM17CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:147A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 100A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 20mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:322nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5600pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTMC120TAM12CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道（3 相桥） FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:220A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 150A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 30mA（标准）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTMC120HRM40CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:2 N 沟道（相脚 + 双共发射极）应用:* 电压 - 额定:1200V（1.2kV）额定电流:* 安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120HRM40CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:73A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 50A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 12.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:161nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120HR11CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:2 N 沟道（相脚 + 双共发射极）应用:通用电压 - 额定:1200V（1.2kV）额定电流:26A 安装类型:底座安装封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML10UM09R004T1AG APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK

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