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APTMC170AM30CT1

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  • APTMC170AM30CT1AG
    APTMC170AM30CT1AG

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTMC170AM30CT1
    APTMC170AM30CT1

    APTMC170AM30CT1

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 3000

  • isc,iscsemi

  • E51X40-16L

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
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APTMC170AM30CT1 技术参数
  • APTMC120TAM34CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC MOSFET 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:6 N-沟道(3 相桥) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 50A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):161nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2788pF @ 1000V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTMC120TAM33CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道(3 相桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):78A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):33 毫欧 @ 60A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 3mA(标准) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):148nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2850pF @ 1000V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTMC120TAM17CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 147A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道(3 相桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):147A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 100A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 20mA(标准) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):322nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5600pF @ 1000V 功率 - 最大值:625W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTMC120TAM12CTPAG 功能描述:MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:6 N-沟道(3 相桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):220A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 150A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 30mA(标准) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):483nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8400pF @ 1000V 功率 - 最大值:925W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTMC120HRM40CT3G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:2 N 沟道(相脚 + 双共发射极) 应用:* 电压 - 额定:1200V(1.2kV) 额定电流:* 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTML202UM18R010T3AG APTML20UM18R010T1AG APTML502UM90R020T3AG APTML50UM90R020T1AG APTML602U12R020T3AG APTML60U12R020T1AG APTR3216CGCK APTR3216EC APTR3216MGC APTR3216PBC/A APTR3216QBC/D APTR3216QWF/D APTR3216SECK APTR3216SGC APTR3216SRCPRV APTR3216SURCK APTR3216SYCK APTR3216YC
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