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APTSM120AM55CT1AG

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • APTSM120AM55CT1AG
    APTSM120AM55CT1AG

    APTSM120AM55CT1AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
APTSM120AM55CT1AG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • 2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET 功能
  • 碳化硅 (SiC)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 74A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 50 毫欧 @ 40A,20V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 3V @ 2mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 272nC @ 20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 5120pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 470W
  • 工作温度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SP1
  • 供应商器件封装
  • SP1
  • 标准包装
  • 10
APTSM120AM55CT1AG 技术参数
  • APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):148A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 80A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 4mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):544nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:* 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):337A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 180A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1224nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:* 封装/外壳:* 供应商器件封装:* 标准包装:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:有效 标准包装:10 APTSM120AM08CT6AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):370A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 200A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 10mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1360nC @ 20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):* 功率 - 最大值:2300W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:10 APTS050A0X43-SRPHZ 功能描述:DC/DC CONVERT 0.7-2V 50A 100W 制造商:ge critical power 系列:GigaTLynx?? 包装:托盘 零件状态:有效 类型:非隔离 PoL 模块 输出数:1 电压 - 输入(最小值):4.5V 电压 - 输入(最大值):14V 电压 - 输出 1:0.7 ~ 2 V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出(最大值):50A 功率(W) - 制造系列:100W 电压 - 隔离:- 应用:ITE(商业) 特性:远程开/关,OCP,OTP,UVLO 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SMD 模块 大小/尺寸:1.30" 长 x 0.90" 宽 x 0.39" 高(33.0mm x 22.9mm x 10.0mm) 工作温度:-40°C ~ 85°C 效率:90.1% 功率(W) - 最大值:100W 标准包装:140 AP-UM001GR13CS-2NRT AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST
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