您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

ATP108_12

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " ATP108_12 " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
ATP108_12 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全称
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • General-Purpose Switching Device Applications
ATP108_12 技术参数
  • ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP106-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1380pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP104-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Ta) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 38A,10V 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:ATPAK 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 标准包装:3,000 ATP104-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 38A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3950pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:1 ATP103-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13 毫欧 @ 28A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2430pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:ATPAK(2 引线 + 接片) 供应商器件封装:ATPAK 标准包装:3,000 ATP206-TL-H ATP207-S-TL-H ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H
配单专家

在采购ATP108_12进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买ATP108_12产品风险,建议您在购买ATP108_12相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的ATP108_12信息由会员自行提供,ATP108_12内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号