AUIRF7304QPBF

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AUIRF7304QPBF
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集好芯城
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联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
32520
INFINEON/英飞凌
SO-08
22+
-
原厂原装现货

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AUIRF7304QPBF 技术参数

AUIRF7304Q 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:2 个 P 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:90 毫欧 @ 2.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:610pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7303QTR 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7303Q 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2.7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:515pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7207QTR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 5.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRF7207Q 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 5.4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF7341Q AUIRF7341QTR AUIRF7342Q AUIRF7342QTR AUIRF7343Q AUIRF7343QTR AUIRF7379Q AUIRF7379QTR AUIRF7416QTR AUIRF7478Q AUIRF7478QTR AUIRF7484Q AUIRF7484QTR AUIRF7640S2TR AUIRF7647S2TR AUIRF7648M2TR AUIRF7665S2TR AUIRF7669L2TR