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AUIRFN8403PBF

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    AUIRFN8403PBF

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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部

    联系人:江先生

    电话:0755-236033608325800283223169

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813

    资质:营业执照

  • 50000

  • IR

  • QFN56

  • 14+

  • -
  • 公司现货库存,全新原装正品。假一罚十,可...

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AUIRFN8403PBF 技术参数
  • AUIRFN8401TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 84A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):66nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2170pF @ 25V 功率 - 最大值:4.2W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN7110TR 功能描述:MOSFET NCH 100V 58A PQFN 制造商:infineon technologies 系列:汽车级,AEC-Q101,HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 35A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3050pF @ 25V 功率 - 最大值:4.3W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-PQFN(5x6) 标准包装:4,000 AUIRFN7107TR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta),75A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):77nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3001pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):4.4W(Ta),125W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.5 毫欧 @ 45A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PQFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 AUIRFL024NTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 2.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:2,500 AUIRFL024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):75 毫欧 @ 2.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:80 AUIRFP4004 AUIRFP4110 AUIRFP4310Z AUIRFP4409 AUIRFP4568 AUIRFP4568-E AUIRFR024N AUIRFR1018E AUIRFR120Z AUIRFR120ZTRL AUIRFR2307Z AUIRFR2405 AUIRFR2407 AUIRFR2607Z AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2905Z AUIRFR2905ZTRL AUIRFR3504
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