AUIRFSL4310-306

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功能描述
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRFSL4310-306 技术参数

AUIRFSL4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7670pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 75A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-262 封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 标准包装:1,000 AUIRFSL4115 功能描述:MOSFET N CH 150V 99A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:99A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.1 毫欧 @ 62A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:TO-262 标准包装:50 AUIRFSA8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:523A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.69 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRFSA8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:523A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.69 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:50 AUIRFS8409-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.75 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13975pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z