您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > A字母型号搜索 >

AUIRLR3105+MOS(场效应管)

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作

没找到与 " AUIRLR3105+MOS(场效应管) " 相关的供应商

您可以:

1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索

2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
AUIRLR3105+MOS(场效应管) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AUIRLR3105+MOS(场效应管) 技术参数
  • AUIRLR3105 功能描述:MOSFET N-CH 55V 25A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):710pF @ 25V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:75 AUIRLR2908 功能描述:MOSFET N-CH 80V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):80V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 23A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1890pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-PAK(TO-252AA) 标准包装:75 AUIRLR2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.5 毫欧 @ 36A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):35nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1570pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLR2905TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:3,000 AUIRLR2905 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):27 毫欧 @ 25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):48nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:75 AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3036 AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7TRL AUIRLS3036TRL AUIRLS3114Z AUIRLS4030 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL AUIRLS8409-7P AUIRLS8409-7TRL AUIRLSL3036 AUIRLU024Z AUIRLU2905 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z
配单专家

在采购AUIRLR3105+MOS(场效应管)进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买AUIRLR3105+MOS(场效应管)产品风险,建议您在购买AUIRLR3105+MOS(场效应管)相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的AUIRLR3105+MOS(场效应管)信息由会员自行提供,AUIRLR3105+MOS(场效应管)内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号