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AUIRLS3036TRR

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  • AUIRLS3036TRR
    AUIRLS3036TRR

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • IR

  • TO-263

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  • AUIRLS3036TRR
    AUIRLS3036TRR

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 800trdpak

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  • 功能描述
  • MOSFET 60V 270A 2.4 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
AUIRLS3036TRR 技术参数
  • AUIRLS3036TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 165A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRLS3036-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 180A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11270pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRLS3036-7P 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 180A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):160nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11270pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 AUIRLS3036 功能描述:MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.4 毫欧 @ 165A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):140nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11210pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRLS3034-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 200A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):180nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):10990pF @ 40V 功率 - 最大值:380W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:800 AUIRLU2905 AUIRLU3110Z AUIRLU3114Z AUIRLZ24NS AUIRLZ24NSTRL AUIRLZ44Z AUIRLZ44ZL AUIRLZ44ZS AUIRLZ44ZSTRL AUIRS1170STR AUIRS2003S AUIRS2004S AUIRS2012STR AUIRS20161S AUIRS20162STR AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S
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