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B82464G4105MV1

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  • B82464G4105MV1
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • EPCOS

  • SMD

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  • 一级代理.原装特价现货!

  • B82464G4105MV1
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 6000

  • EPCOS

  • SMD

  • 15+

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  • 原装正品,假一罚十

  • B82464G4105MV1
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  • 深圳市佳鑫特电子有限公司
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    地址:深圳市福田区佳和大厦B座2311

  • 88520000

  • EPCOS/爱普科斯

  • SMD

  • 19+

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  • 代理原装现货

  • B82464G4105MV1
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • EPCOS

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

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B82464G4105MV1 技术参数
  • B82464G4105M 功能描述:1mH Shielded Wirewound Inductor 340mA 2.2 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:340mA 电流 - 饱和值:350mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):2.2 欧姆最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:1.8MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4104M 功能描述:100μH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 220 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.05A 电流 - 饱和值:1.15A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):220 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:6.5MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4103M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 3.4A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:10μH 容差:±20% 额定电流:3.4A 电流 - 饱和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):30 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:22MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G4102M 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 7 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G4 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:7.5A 电流 - 饱和值:10A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):7 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:135MHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.189"(4.80mm) 标准包装:1 B82464G2821M 功能描述:820nH Shielded Wirewound Inductor 6.2A 7.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82464G2 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:820nH 容差:±20% 额定电流:6.2A 电流 - 饱和值:7.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):7.5 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 150°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:非标准 大小/尺寸:0.409" 长 x 0.409" 宽(10.40mm x 10.40mm) 高度 - 安装(最大值):0.118"(3.00mm) 标准包装:1,250 B82464G4333M B82464G4334M B82464G4472M B82464G4473M B82464G4474M B82464G4682M B82464G4683M B82464G4684M B82464G4821M B82464G4821M000 B82464P4102M B82464P4102M000 B82464P4103M B82464P4104M B82464P4105M B82464P4105M000 B82464P4153M B82464P4154M
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