BAR66SOT23-PM

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BAR66SOT23-PM 技术参数

BAR66E6433HTMA1 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200mA 250mW PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:150V 电流 - 最大值:200mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BAR66E6327HTSA1 功能描述:DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:PIN - 1 对串联电压 - 峰值反向（最大值）:150V 电流 - 最大值:200mA 不同?Vr，F 时的电容:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 基本零件编号:BAR66 标准包装:1 BAR6503WE6327HTSA1 功能描述:DIODE RF SGL 30V 100MA SOD-323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.8pF @ 3V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:900 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ）封装/外壳:SC-76，SOD-323 供应商器件封装:PG-SOD323-2 基本零件编号:BAR65 标准包装:1 BAR6502VH6327XTSA1 功能描述:DIODE RF PIN 30V 100MA SC79 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:PIN - 单电压 - 峰值反向（最大值）:30V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.8pF @ 3V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:900 毫欧 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ）封装/外壳:SC-79，SOD-523 供应商器件封装:PG-SC79-2 基本零件编号:BAR65 标准包装:1 BAR64V-05W-E3-18 功能描述:RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 100V 100mA SOT-323 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:PIN - 1 对共阴极电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?If，F 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:10,000 BAR9002ELE6327XTMA1 BAR9002ELSE6327XTSA1 BAR9002LRHE6327XTSA1 BAR9002LSE6327XTSA1 BAR90098LRHE6327XTSA1 BAR-J-22 BARO-A-4V-REF-PRIME BAS 125-06W E6327 BAS 16 B5003 BAS 16-02V E6327 BAS 16-02W E6327 BAS 16-07L4 E6327 BAS 3005A-02V E6327 BAS 3005A-02V H6327 BAS 3005B-02V E6327 BAS 3005B-02V H6327 BAS 3007A-RPP E6327 BAS 3010S-02LRH E6327