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BAS316Q

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    电话:18724450645

    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

    资质:营业执照

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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    电话:18724450645

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

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    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

    资质:营业执照

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

    资质:营业执照

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  • 扬杰科技

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  • 瑞智芯 只有原装

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BAS316Q 技术参数
  • BAS316/ZLX 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:1pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 BAS316/ZLF 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:SOD-323 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS316/DG/B3,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:停產 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 BAS316/DG/B3,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:停產 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):250mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):250mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:0.35pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-76,SOD-323 供应商器件封装:USC 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:3,000 BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3 BAS385-TR BAS385-TR3 BAS386-TR
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