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BC856A/E9

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    BC856A/E9

    BC856A/E9

  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • GENERAL SEMICONDUCTOR

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    BC856A/E9

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:何芝

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  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
BC856A/E9 技术参数
  • BC856A,215 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:BC856 标准包装:1 BC856A RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -65V, -0.1A, 12 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 BC856,215 功能描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级,AEC-Q101 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):65V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):125 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB(SOT23) 基本零件编号:BC856 标准包装:1 BC850CWH6327XTSA1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BC850CWE6327HTSA1 功能描述:TRANS NPN 45V 0.1A SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:PG-SOT323-3 标准包装:3,000 BC856AT,115 BC856A-TP BC856AW,115 BC856AW,135 BC856AW-7-F BC856AW-G BC856B RFG BC856B,215 BC856B,235 BC856B/DG/B3,215 BC856B/DG/B3,235 BC856B-13-F BC856B-7-F BC856BDW1T1 BC856BDW1T1G BC856BDW1T3G BC856B-HF BC856BLT1
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