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BSC0403NSATMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
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联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
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con
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现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

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北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
8
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现货！就到京北通宇商城

BSC0403NSATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
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联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
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查现货！就到京北通宇商城

BSC0403NSATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
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C72-晶体管
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深圳市盛芯世纪科技有限公司
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联系人：杨先生，www.dz-ic.cn
电话：0755-8397991513312996395
地址：深圳市福田区中航路都会100大厦B座6F
资质：营业执照
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原装正品www.dz-ic.cn

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BSC0403NSATMA1 技术参数

BSC039N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:27nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC039N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2000pF @ 30V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC037N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 72μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC037N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:21A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3660pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC036NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:75V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 110μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4400pF @ 37.5V 功率 - 最大值:156W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8（5.15x6.15）标准包装:1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1

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