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BSC200P03LS G

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
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  • 厂商
  • 封装
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  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • 英飞凌

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Infineon

  • 系列产品

  • 07+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 50000

  • INFINEO

  • TDSON-8

  • 13+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 3500

  • Infineon

  • SO8

  • 13+

  • -
  • Infineon一级代理,价优

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 69800

  • INFINEON

  • 近两年生产

  • DFN-8

  • -
  • 每一片都来自原厂

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3265

  • INFINEON

  • QFN8

  • 2232+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 84000

  • INFINEON/英飞凌

  • DFN5X6

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • BSC200P03LS G
    BSC200P03LS G

    BSC200P03LS G

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

  • -
  • 原装正品,优势供应

  • 1/1页 40条/页 共22条 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -12.5A 20mOhm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BSC200P03LS G 技术参数
  • BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19.6 毫欧 @ 45A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC190N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 50A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2420pF @ 75V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC190N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):120V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.6A(Ta),44A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 39A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 60V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.9A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):11.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):165 毫欧 @ 5.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1
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