BSC240N12NS3G_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSC240N12NS3G

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说明
操作

BSC240N12NS3G
北京杰创宏达电子有限公司
北京杰创宏达电子有限公司
联系人：沈小姐/伊小姐
电话：010-61190909
地址：北京市海淀区安宁庄26号悦MOMA701室
资质：营业执照
100
infineon
原厂原装
24+
-
授权代理商

BSC240N12NS3G
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

BSC240N12NS3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
TDSON-8
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BSC240N12NS3G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
250000
INFINEON
.
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

BSC240N12NS3G
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B
资质：营业执照
17952
INFINEON/英飞凌
SuperSO8
22+
-

BSC240N12NS3G
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
60000
INFINEON/英飞凌
TDSON-8
21+
-
长期代理优势供应实单可谈可开增值税

BSC240N12NS3G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
INFINEON
原厂原装
18+
-
原装正品，优势供应

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制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor

BSC240N12NS3G 技术参数

BSC240N12NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:37A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 31A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 60V 功率 - 最大值:66W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC22DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:5.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:430pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:34W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 3.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSC22DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:225 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC205N10LS G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.4A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20.5 毫欧 @ 45A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 43μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2900pF @ 50V 功率 - 最大值:76W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC200P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.9A（Ta），12.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB

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