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BSC886N03LSGE8178

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BSC886N03LSGE8178
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
60000
INFINEON/英飞凌
QFN-8
21+
-
长期代理优势供应实单可谈可开增值税

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BSC886N03LSGE8178 技术参数

BSC886N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta），65A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 15V 功率 - 最大值:39W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC884N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC883N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19A（Ta），98A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3200pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC883N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），98A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.8 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC882N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:34V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4300pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER BSD-04BFFM-SL6A01 BSD-04BFFM-SL6A02 BSD-04BFFM-SL6A05