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BSL-WR

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BSL-WR PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 扬声器连接器 Weather resist boot
  • RoHS
  • 制造商
  • Neutrik
  • 标准
  • Speakon, HPC
  • 型式
  • Male
  • 位置/触点数量
  • 2
  • 端接类型
  • 安装风格
  • PCB
  • 方向
  • Vertical
  • 触点电镀
  • 颜色
  • 触点材料
  • 电压额定值
  • 电流额定值
BSL-WR 技术参数
  • BSL806NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.3A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL806NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):1.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):259pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL802SNL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 7.5A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:1 BSL802SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 7.5A,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):0.75V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1347pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSL716SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 218μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):315pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:PG-TSOP6-6 标准包装:3,000 BSM180D12P3C007 BSM1-C BSM1-X BSM200GB60DLC BSM200GB60DLCHOSA1 BSM2-C BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L
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