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BSM35GP120BOSA1

配单专家企业名单
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  • BSM35GP120BOSA1
    BSM35GP120BOSA1

    BSM35GP120BOSA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • 模块

  • 21+

  • -
  • 质量保真,价格实惠,假一罚十

  • BSM35GP120BOSA1
    BSM35GP120BOSA1

    BSM35GP120BOSA1

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

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  • 功能描述
  • IGBT MODULE 1200V 35A
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 在售
  • IGBT 类型
  • NPT
  • 配置
  • 三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 1200V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 45A
  • 功率 - 最大值
  • 230W
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 500μA
  • 不同?Vce 时的输入电容(Cies)
  • 1.5nF @ 25V
  • 输入
  • -
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 模块
  • 供应商器件封装
  • 模块
  • 标准包装
  • 10
BSM35GP120BOSA1 技术参数
  • BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):* 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.5nF @ 25V 输入:- NTC 热敏电阻:是 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:三相反相器 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):3.2V @ 15V,35A 不同?Vce 时的输入电容(Cies):2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件状态:停產 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.45V @ 15V,30A 电流 - 集电极截止(最大值):500μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):1.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道(半桥) FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1200V(1.2kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 68mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模块 供应商器件封装:模块 标准包装:4 BSM2-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-16 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包装:散装 零件状态:过期 端子类型:对接接头,直插式,单独开口 进线数:2 端接:压接 线规:14-16 AWG 绝缘:非绝缘 特性:铜焊缝 颜色:- 标准包装:10 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C
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