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BSR202N@@@@@

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BSR202N@@@@@ 技术参数

BSR202N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 3.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 30μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1147pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSR-2 0.030X12X12 功能描述:ECCOSORB BSR-2 12X12X0.030 制造商:laird technologies emi 系列:ECCOSORB? 零件状态:有效形状:片状厚度 - 总:0.030"（0.76mm）宽度:12.008"（305.00mm）长度:12.008"（305.00mm）粘合剂:压敏胶合剂（PSA）温度范围:- 标准包装:1 BSR19A,215 功能描述:TRANS NPN 160V 0.3A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:250mW 频率 - 跃迁:300MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）基本零件编号:BSR19 标准包装:1 BSR18B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:230mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 BSR18A_D87Z 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:10,000 BSR316PL6327HTSA1 BSR31TA BSR33,115 BSR33,135 BSR33QTA BSR33TA BSR41,115 BSR41F BSR43,115 BSR43TA BSR50 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58