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  • BSR56_Q
  • 9800
  • Fairchild Semiconductor
  • 12+
  • SOT-23
1
BSR56_Q
参数信息:

功能描述:JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise

RoHS:

制造商:ON Semiconductor

晶体管极性:N-Channel

漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA

漏源电压 VDS:15 V

闸/源击穿电压:

漏极连续电流:50 mA

配置:

安装风格:

封装 / 箱体:SC-59

封装:Reel

BSR56_Q技术参数

BSR56L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 50MA I(DSS) | SOT-23 BSR56T/R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 50MA I(DSS) | TO-236 BSR57 功能描述:JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel BSR57 T/R 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel BSR57,215 功能描述:射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel BSR57_Q 功能描述:JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel BSR57215 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: BSR57L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 100MA I(DSS) | SOT-23 BSR57T/R 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 100MA I(DSS) | TO-236 BSR58 功能描述:JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel