BSS-025/050/075/100/125/150-01-L/F-D-A-T

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BSS-025/050/075/100/125/150-01-L/F-D-A-T 技术参数

BSS-016-01-L-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:管件零件状态:在售连接器类型:差分对阵列，母针脚数:32 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:板边缘，跨骑式安装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:10μin（0.25μm）接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:管件零件状态:在售连接器类型:差分对阵列，母针脚数:32 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:板边缘，跨骑式安装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:30μin（0.76μm）接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BSS 包装:管件零件状态:在售连接器类型:差分对阵列，母针脚数:32 间距:0.025"（0.64mm）排数:2 安装类型:板边缘，跨骑式安装特性:- 触头镀层:金触头镀层厚度:3μin（0.08μm）接合堆叠高度:- 板上高度:- 标准包装:1 BSR92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 欧姆 @ 140mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:109pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:3,000 BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:140mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 欧姆 @ 140mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SC-59 标准包装:1 BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A BSS-050-01-F-D-A-TR BSS-050-01-F-D-DP-EM2 BSS-050-01-F-D-TR BSS-050-01-H-D