BSS138PW115

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BSS138PW115
优势
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
18015
NEXPERIA
C08-场效应管
2138
-

BSS138PW115
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
1899
NEXPERIA
NA
近两年
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查价格、订购可到京北通宇商城www.jb...

BSS138PW115
深圳市佳斯泰科技有限公司
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联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Nexperia
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

BSS138PW115
万三科技（深圳）有限公司
万三科技（深圳）有限公司
联系人：王俊杰
电话：188185984650755-23763516
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
NXP USA Inc.
原厂原装
22+
-
万三科技秉承原装实单可议

BSS138PW115
万三科技（深圳）有限公司
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联系人：张国龙
电话：177226252410755-21008751
地址：深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C
6500000
NXP USA Inc.
原厂原装
22+
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万三科技秉承原装实单可议

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BSS138PW115 技术参数

BSS138PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:260mW（Ta），830mW（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 300mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-323-3 封装/外壳:SC-70，SOT-323 标准包装:1 BSS138PS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:320mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 300mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:420mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 BSS138P,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:360mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta），1.14W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 300mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS138NL6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 230mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:10,000 BSS138NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.5 欧姆 @ 230mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:41pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS138W-7-F BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6433XTMA1 BSS138W-TP BSS139 E6327 BSS139 E6906 BSS139 H6327 BSS139H6327XTSA1 BSS139H6906XTSA1 BSS139L6327HTSA1 BSS139L6906HTSA1 BSS-150-01-C-D-A BSS-150-01-F-D BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2 BSS-150-01-H-D BSS-150-01-H-D-A BSS-150-01-L-D