BSS33

配单专家企业名单

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供应商
数量
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封装
批号
价格
说明
操作

BSS33
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
10000
PH
CAN
15+
-
原装正品，假一罚十

BSS33
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
PHI
CAN
08+
-
假一罚十，百分百原装正品

BSS33
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9331
PH
CAN
12+
-
绝对公司原装现货

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您是不是要找： BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5

BSS33 技术参数

BSS316NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS316NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:94pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS316N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 1.4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.3nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:282pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:1 BSS315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:282pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 1.5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-SOT23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215