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BSS63 E6327

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  • BSS63 E6327
    BSS63 E6327

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 638850

  • INFINEON

  • SOT-23

  • 最新批次

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  • BSS63 E6327(BMS)
    BSS63 E6327(BMS)

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 3550000

  • INFINEON

  • SOT23

  • 2024+

  • -
  • 保证原装现货

  • BSS63 E6327
    BSS63 E6327

    BSS63 E6327

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 195000

  • INFINEON

  • SOT-23

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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BSS63 E6327 技术参数
  • BSS63 功能描述:TRANS PNP 100V 0.2A SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 2.5mA,25mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 BSS606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 15μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:1 BSS44 功能描述:TRANS PNP 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:870mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:100 BSS340NWH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售 标准包装:3,000 BSS316NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 1.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:PG-SOT23-3 标准包装:3,000 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1
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