BSS87/KA

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BSS87/KA
北京元坤伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
SIEMENS
SOT-89
2011
-
全新原装100%正品保证质量

BSS87/KA
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
SIEMENS
SOT-89
2011
-
全新原装100%正品保证质量

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BSS87/KA 技术参数

BSS87,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:580mW（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 400mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-89-3 封装/外壳:TO-243AA 标准包装:1 BSS87 E6433 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷（TR）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:240V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 欧姆 @ 260mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PG-SOT89 标准包装:4,000 BSS84WQ-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BSS84W-7-F 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BSS84W-7 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:130mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 BST-12/125-D48-C BST-136-08-G-D-230-RA BST-136-08-L-D-230-RA BST-136-08-S-D-230-RA BST-136-08-T-D-230-RA BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225 BST-256P BST-272P+16 BST-303 BST-324 BST-352P