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BSZ0502NSIATMA1

配单专家企业名单
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  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

    BSZ0502NSIATMA1

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

    BSZ0502NSIATMA1

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3

  • 19+

  • -
  • 代理直销!进口原装正品!

  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

    BSZ0502NSIATMA1

  • 深圳市亚泰盈科电子有限公司
    深圳市亚泰盈科电子有限公司

    联系人:郑小姐

    电话:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411

    资质:营业执照

  • 5000

  • INFINEON/英飞凌

  • NA

  • 18+

  • -
  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
    深圳市德力诚信科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:13305449939

    地址:上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室

  • 1899

  • INFINEON

  • NA

  • 近两年

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  • BSZ0502NSIATMA1
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    BSZ0502NSIATMA1

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 3000

  • 英飞凌

  • TO-3P

  • 22+

  • -
  • 原装现货

  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

    BSZ0502NSIATMA1

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质:营业执照

  • 73554

  • INFINEON/英飞凌

  • NA

  • 22+

  • -
  • 18万条库存,一站式配齐

  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

    BSZ0502NSIATMA1

  • 深圳市正永电子有限公司
    深圳市正永电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-23930354

    地址:中航路都会轩3607

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3

  • 19+

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  • BSZ0502NSIATMA1
    BSZ0502NSIATMA1

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  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 5000

  • INFINEON

  • 主营优势

  • 19+

  • -
  • 100%原装正品★终端免费供样★

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包装
  • 带卷(TR)
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 22A(Ta),40A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 2.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1600pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3)
  • 标准包装
  • 5,000
BSZ0502NSIATMA1 技术参数
  • BSZ0501NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 标准包装:5,000 BSZ0500NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):52nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3400pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 标准包装:5,000 BSZ042N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):27nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 BSZ042N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2000pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 标准包装:1 BSZ042N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 36μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 标准包装:5,000 BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ068N06NSATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ075N08NS5ATMA1 BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3E G BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 BSZ0901NS
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