BSZ100N06LS3GATM_代理商_批发/采购【买卖IC网】BSZ100N06LS3GATM

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价格
说明
操作

BSZ100N06LS3GATM
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
22499
INFINEON/英飞凌
TSDSON-8
22+
-
原厂原装现货

BSZ100N06LS3GATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
690
INFINEON
NA
23+
-
功率MOSFET

BSZ100N06LS3GATMA1
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1000
INFINEON
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

BSZ100N06LS3GATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1000
INFINEON
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
1000
INFINEON
con
23+
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

BSZ100N06LS3GATMA1
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
1000
INFINEON
NA
23+
-
查现货！就到京北通宇商城

BSZ100N06LS3GATMA1
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
英飞凌
TO-3P
22+
-
原装现货

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
Infineon
原厂封装
最新批号
-
代理此型号.原装特价现货！

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
INFINEON
1521+
-
全新原装现货

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
2500
INFINEO
PG-TSDS
22+
-
公司原装现货，可订货，有单来谈QQ：16...

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市创芯弘科技有限公司
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：(2014年前十佳IC供应商)
电话：13410000176
地址：深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......
资质：营业执照
369800
Infineon(英飞凌)
PG-TSDSON-8
刚到货
-
代理可含税开票

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市华思半导体技术有限公司
深圳市华思半导体技术有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-8329998313662227781
地址：华强北路华强广场B座27K
资质：营业执照
18000
INFINEON/英飞凌
原厂封装
23+
-
全新原装现货，特价支持

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
联系人：杨锐锋
电话：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田区华强广场二楼Q2B046
40000
INFINEON
-
高品质！价格美丽！

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市十德盛科技有限公司
深圳市十德盛科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8271907113336545634
地址：深圳市福田区华强路世贸广场A座14楼15A09
资质：营业执照
10000
Infineon(英飞凌)
21+
-
全新原装现货

BSZ100N06LS3GATMA1
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
INF
ORIGINAL
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

BSZ100N06LS3GATMA1
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
5000
INFINEON APAC (CHINA)
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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BSZ100N06LS3GATM 技术参数

BSZ100N06LS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta），20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3500pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ100N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1700pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ100N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）标准包装:1 BSZ099N06LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:在售安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ0994NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:890pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ130N03LS G BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03MS G BSZ130N03MSGATMA1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1

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