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BTS247ZE3062ANTMA1

配单专家企业名单
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  • BTS247ZE3062ANTMA1
    BTS247ZE3062ANTMA1

    BTS247ZE3062ANTMA1

  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30

  • 0

  • Infineon

  • SMD

  • 23+

  • -
  • 原厂正品现货供应绝对优势

  • BTS247ZE3062ANTMA1
    BTS247ZE3062ANTMA1

    BTS247ZE3062ANTMA1

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 6000

  • 英飞凌

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

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  • 功能描述
  • MOSFET TEMPFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
BTS247ZE3062ANTMA1 技术参数
  • BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:温度保护 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-5,D2Pak(4 引线+接片),TO-263BB 供应商器件封装:PG-TO263-5 标准包装:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:温度保护 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-5 供应商器件封装:P-TO220-5 标准包装:500 BTS247ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:温度保护 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-5 成形引线 供应商器件封装:PG-TO220-5-3 标准包装:500 BTS247Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:温度保护 漏源极电压(Vdss):55V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 12A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-5,D2Pak(4 引线+接片),TO-263BB 供应商器件封装:TO-220-5 标准包装:1,000 BTS245A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件状态:有效 类型:六角支座 有丝/无丝:有螺纹 公母:公头,母头 螺钉,螺纹规格:#8-32 直径 - 内部:- 直径 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板间高度:1.500"(38.10mm)1 1/2" 长度 - 总:1.875"(47.63mm)1 7/8" 特性:- 材料:黄铜 镀层:镍 颜色:- 重量:- 标准包装:100 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1
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