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BUZ30AXK

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220
BUZ30AXK 技术参数
  • BUZ30AHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):125W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:PG-TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:500 BUZ30AH3045AATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:PG-TO263-3 标准包装:1 BUZ30A H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ30A E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:PG-TO263-3 标准包装:1,000 BUZ30A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND
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