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BUZ310

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  • BUZ310
    BUZ310

    BUZ310

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • inf

  • 原厂封装

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • BUZ310
    BUZ310

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • SIEMENS

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • BUZ310
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • INFINEON/英飞凌

  • TO-218

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • BUZ310
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

    电话:19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 4810

  • ST和英飞凌

  • TO-3P

  • 13+

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  • 原装正品现货库存

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  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 50008

  • YXYBDT台湾

  • TO-3PN

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  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • BUZ310
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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  • 865000

  • ST和英飞凌

  • TO-3P

  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装正品现货!

  • BUZ310
    BUZ310

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  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人:张小姐

    电话:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

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  • 22044

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  • 22+

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  • BUZ310
    BUZ310

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

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  • 11630

  • INFINEON

  • 原厂原装

  • 18+

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  • 原装正品,优势供应

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全称
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)
BUZ310 技术参数
  • BUZ31 H3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:PG-TO263-3 标准包装:1 BUZ31 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO-220-3 标准包装:500 BUZ31 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263 标准包装:1,000 BUZ31 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ30AHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):125W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:PG-TO-220-3 封装/外壳:TO-220-3 标准包装:500 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW
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