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BUZ900

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  • BUZ900
    BUZ900

    BUZ900

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 5000

  • 原厂原装

  • 08+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • BUZ900
    BUZ900

    BUZ900

  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人：彭先生

    电话：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

  • 9866

  • SML

  • TO-3

  • 00+

  • -

  • 绝对公司原装现货

  • BUZ900
    BUZ900

    BUZ900

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 18225

  • SEMELAB

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • BUZ900
    BUZ900

    BUZ900

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 400045

  • YXYBDT台湾

  • TO-3

  • 2024+

  • -

  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • BUZ900
    BUZ900

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865720

  • 原厂

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 代理此型号，原装正品现货！！

  • BUZ900
    BUZ900

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  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

    联系人：金

    电话：0755-832599640755-23884416

    地址：中航北苑A座7A5

  • 116

  • SEMLAB

  • N/A

  • 18+

  • -

  • 进口原装特价出售

  • BUZ900P
    BUZ900P

    BUZ900P

  • 深圳市品业电子有限公司
    深圳市品业电子有限公司

    联系人：李小姐

    电话：0755-23895664

    地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55

  • 43751

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  • 制造商
  • TT Electronics/ Semelab
  • 功能描述
  • MOSFET N TO-3
  • 制造商
  • TT Electronics/ Semelab
  • 功能描述
  • MOSFET, N, TO-3
  • 制造商
  • Semelab
  • 功能描述
  • TO3 160Volt 8A 125W N CHANNEL MOSFET
  • 制造商
  • SEMELAB
  • 功能描述
  • N CHANNEL MOSFET, 160V, 8A, TO-3; Transistor Polarity
  • 制造商
  • TT Electronics / Semelab
  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 160V 8A TO-3
BUZ900 技术参数
  • BUZ80A 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1350pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 BUZ73LHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:840pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73HXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BUZ73H3046XKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:PG-TO220-3 标准包装:500 BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0 BV020-5373.0 BV020-5374.0 BV020-5375.0 BV020-5376.0 BV020-5377.0 BV020-5378.0 BV020-5382.0 BV020-5383.0 BV020-5384.0 BV020-5385.0 BV020-5386.0 BV020-5387.0 BV020-5388.0 BV020-5389.0
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