BYM300A120DN2HOSA1

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BYM300A120DN2HOSA1
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
10
INFINEON
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

BYM300A120DN2HOSA1
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

BYM300A120DN2HOSA1
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原装正品

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功能描述
MOD IGBT MED POWER 62MM-2
制造商
infineon technologies
系列
-
零件状态
在售
IGBT 类型
-
配置
单一
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
450A
功率 - 最大值
1000W
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
-
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
标准包装
10

BYM300A120DN2HOSA1 技术参数

BYM13-60HE3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60HE3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 BYM13-60-E3/97 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM13-60-E3/96 功能描述:Diode Schottky 60V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 60V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 BYM13-50HE3/97 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:80pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 BYM36E-TR BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45 BYQ28EB-100-E3/81 BYQ28EB-100HE3/45 BYQ28EB-100HE3/81 BYQ28EB-150-E3/81 BYQ28EB-150HE3/45