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BZS55B18RXG

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BZS55B18RXG 技术参数
  • BZS55B18 RXG 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):18V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):50 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 13V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B16 RXG 功能描述:DIODE ZENER 16V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):16V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):40 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 12V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B15 RXG 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):15V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 11V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B13 RXG 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):26 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 10V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B12 RXG 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 9.1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B3V0 RXG BZS55B3V3 RXG BZS55B3V6 RXG BZS55B3V9 RXG BZS55B4V3 RXG BZS55B4V7 RXG BZS55B5V1 RXG BZS55B5V6 RXG BZS55B6V2 RXG BZS55B6V8 RXG BZS55B7V5 RXG BZS55B8V2 RXG BZS55B9V1 RXG BZS55C10 RXG BZS55C11 RXG BZS55C12 RXG BZS55C13 RXG BZS55C15 RXG
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