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BZS55B36RXG

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BZS55B36RXG 技术参数
  • BZS55B36 RXG 功能描述:DIODE ZENER 36V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):36V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 27V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B33 RXG 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 24V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B30 RXG 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B2V7 RXG 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B2V4 RXG 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW 1206 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1206(3216 公制) 供应商器件封装:1206 标准包装:5,000 BZS55B6V8 RXG BZS55B7V5 RXG BZS55B8V2 RXG BZS55B9V1 RXG BZS55C10 RXG BZS55C11 RXG BZS55C12 RXG BZS55C13 RXG BZS55C15 RXG BZS55C16 RXG BZS55C18 RXG BZS55C20 RXG BZS55C22 RXG BZS55C24 RXG BZS55C27 RXG BZS55C2V4 RXG BZS55C2V7 RXG BZS55C30 RXG
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