BZX55C9V1MVG

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BZX55C9V1MVG 技术参数

BZX55C9V1_T50R 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C9V1_T50A 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C9V1_T26A 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C9V1 A0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 6.8V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C9V1 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:9.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 7V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX55F15-TR BZX55F16-TR BZX55F18-TAP BZX55F18-TR BZX55F20-TAP BZX55F20-TR BZX55F22-TAP BZX55F22-TR BZX55F24-TAP BZX55F27-TAP BZX55F27-TR BZX55F2V4-TAP BZX55F2V4-TR BZX55F2V7-TAP BZX55F30-TR BZX55F33-TAP BZX55F33-TR BZX55F36-TAP