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BZY55B30RYG

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BZY55B30RYG 技术参数
  • BZY55B30 RYG 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 22V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B2V7 RYG 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B2V4 RYG 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):2.4V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B27 RYG 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):27V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 20V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B24 RYG 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW 0805 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):24V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 18V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 10mA 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0805(2012 公制) 供应商器件封装:805 标准包装:5,000 BZY55B5V6 RYG BZY55B6V2 RYG BZY55B6V8 RYG BZY55B7V5 RYG BZY55B8V2 RYG BZY55B9V1 RYG BZY55C10 RYG BZY55C11 RYG BZY55C12 RYG BZY55C13 RYG BZY55C15 RYG BZY55C16 RYG BZY55C18 RYG BZY55C20 RYG BZY55C22 RYG BZY55C24 RYG BZY55C27 RYG BZY55C2V4 RYG
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