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CIG22L6R8MNE

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  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人：杨先生

    电话：0755-23603360832114658325800283223169

    地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 30000

  • SAM

  • 13+

  • -

  • 公司现货!只做原装!

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 6000

  • Samsung Electro-Mechanics

  • 标准封装

  • 16+

  • -

  • 假一罚十，百分百正品

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理，原装特价现货！

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
    聚芯优品（深圳）控股集团有限公司

    联系人：邓生

    电话：1330244183018823807848

    地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

    资质：营业执照

  • 3445

  • SAMSUNG

  • BGA

  • 2117+

  • -

  • 现货分销 自有库存 正品保障 假一罚十

  • CIG22L6R8MNE
    CIG22L6R8MNE

    CIG22L6R8MNE

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人：陈先生

    电话：0755-83228629

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专

    资质：营业执照

  • 372400

  • SAMSUNG

  • SMD

  • 15+ROHS

  • -

  • 一级质量保证长期稳定提供货优价美

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  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 1008 Embossed T/R
  • 制造商
  • Samsung Electro-Mechanics
  • 功能描述
  • POWER INDUCTOR,1008,6.8UH,20%,0.80A - Tape and Reel
  • 制造商
  • SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS AMERICA, INC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 6.8UH 0.8A 1008
  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 功能描述
  • CIG Series 2520 6.8 uH 20 % 0.8 A SMD Shielded Power Inductor
  • 制造商
  • Samsung Semiconductor
  • 功能描述
  • Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 6.8uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 1008 Embossed T/R
CIG22L6R8MNE 技术参数
  • CIG22L4R7MNE 功能描述:4.7μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 110 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:110 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L3R3MNE 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:1.2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L2R2MNE 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.3A 80 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:80 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L1R5MNE 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 70 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:70 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 CIG22L1R2MNE 功能描述:1.2μH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 65 mOhm 1008 (2520 Metric) 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:CIG22L 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:- 电感:1.2μH 容差:±20% 额定电流:1.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:65 毫欧 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:3,000 CIGT201208EH2R2MNE CIGT201208EHR47MNE CIGT201208EM1R0MNE CIGT201208EM1R0SNE CIGT201208EMR47MNE CIGT201208UM1R0MNE CIGT201208UM1R5MNE CIGT201210EM1R0MNE CIGT201210UH1R0MNE CIGT201210UH1R5MNE CIGT201210UH2R2MNE CIGT201210UHR24MNE CIGT201210UHR33MNE CIGT201210UHR47MNE CIGT201210UHR47SNE CIGT201210UHR68MNE CIGT201210UM1R0MNE CIGT201210UM1R5MNE
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