CMPDM7120G_代理商_批发/采购【买卖IC网】CMPDM7120G

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说明
操作

CMPDM7120GTRPB-FREE
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
8660
Central Semi
SOT23
1651+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

CMPDM7120G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
10000
CENTRAL
SOT-23
15+
-
原装正品，假一罚十

CMPDM7120GTR13
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中7楼7B30
69880
TY/台灣半導体
SOT23-3
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

CMPDM7120GTR
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
24000
Central
SOT-23
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

CMPDM7120G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
CENTRALSE
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

CMPDM7120GTR
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

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制造商
CENTRAL
制造商全称
Central Semiconductor Corp
功能描述
SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

CMPDM7120G 技术参数

CMPDM7003 TR 功能描述:MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.76nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPDM7002AHC TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:240pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPDM7002AG TR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CMPDM7002AG BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.28A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:280mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500 CMPDM303NH TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:40 毫欧 @ 1.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:590pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-3 扁平引线供应商器件封装:SOT-23F 标准包装:1 CMPH1W CMPH2 CMPH2C CMPH2W CMPHF1 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR CMPSH1-4 BK CMPSH1-4 TR CMPSH-3 BK

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