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CMPFCD86GN220FP

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  • CMPFCD86GN220FP
    CMPFCD86GN220FP

    CMPFCD86GN220FP

  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
    深圳市奥伟斯科技有限公司

    联系人:江小姐 ADS触摸芯片一级代理

    电话:0755-83254770

    地址:深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层

    资质:营业执照

  • 40000

  • CHAMPION

  • TO-220F

  • 18+

  • -
  • 专注原装,有货

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  • 1
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  • 制造商
  • CHAMP
  • 制造商全称
  • CHAMP
  • 功能描述
  • PFC Diode (8A/600V)
CMPFCD86GN220FP 技术参数
  • CMPF5485 TR 功能描述:JFET N-Channel 25V 4mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):4mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 10nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 CMPF4416A TR 功能描述:JFET N-Channel 35V 5mA @ 15V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):35V 漏源极电压(Vdss):35V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2.5V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4.5pF @ 15V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4393 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 5mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):5mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):500mV @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):100 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4392 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 25mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):25mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):60 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:1 CMPF4391 TR 功能描述:JFET N-Channel 40V 50mA @ 20V 350mW Surface Mount SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):50mA @ 20V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):14pF @ 20V 电阻 - RDS(开):30 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 功率 - 最大值:350mW 标准包装:3,000 CMPHF2 CMPHH2 CMPHHF1 CMPP6028 TR CMPS5062 TR CMPS5062 TR H CMPS5064 TR CMPSH05-4 BK CMPSH05-4 TR CMPSH05-4C TR CMPSH1-4 BK CMPSH1-4 TR CMPSH-3 BK CMPSH-3 TR CMPSH-3A TR CMPSH-3AE TR CMPSH-3C TR CMPSH-3CE TR
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